收藏本站
RJK03E0DNS
3
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Preliminary
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.0
0.
1s
0.03
0.01
0.05
2
01
ho
t
pu
ls
e
P DM
PW
T
D=
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (S)
Avalanche Test Circuit
Avalanche Waveform
V DS
L
E AR =
1
2
L ? I AP2 ?
V DSS
V DSS – V DD
Monitor
I AP
Monitor
I AP
V (BR)DSS
Rg
D. U. T
V DD
V DS
I D
Vin
15 V
Switching Time Test Circuit
0
V DD
Switching Time Waveform
Vin Monitor
D.U.T.
Vout
Monitor
90%
Rg
Vin
R L
V DS
Vin
Vout
10%
10%
10%
10 V
= 10 V
90%
90%
R07DS0656EJ0300 Rev.3.00
td(on)
tr
td(off)
tf
Page 5 of 6
Feb 01, 2012
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
RJK03E2DNS-00#J5 MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON
RJK6025DPD-00#J2 MOSFET N CH 600V 1A MP3A
RJP020N06T100 MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
RL3004-6.56-59-D1 THERMISTOR NTC 10 OHM @ 25C
RL4504-3.28-59-D1 THERMISTOR NTC 5 OHM @ 25C
RMW130N03TB MOSF N CH 30V 13A PSOP8
RMW150N03TB MOSF N CH 30V 15A PSOP8
RMW180N03TB MOSF N CH 30V 18A PSOP8
相关代理商/技术参数
RJK03E0DNS-00-J5 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
RJK03E1DNS 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
RJK03E1DNS_12 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
RJK03E1DNS-00#J5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8-HWSON RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
RJK03E1DNS-00-J5 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
RJK03E2DNS 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
RJK03E2DNS_12 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
RJK03E2DNS-00#J5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件